- 제품 모델 TC58NYG0S3HBAI6
- 브랜드 Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
- RoHS Yes
- 설명 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 67VFBGA
- 분류 메모리
-
PDF
재고:1817
기술적 세부 사항
- 장착 유형 67-VFBGA
- 턴 수 Surface Mount
- Q @ 주파수 1Gbit
- 쉘 재료 Non-Volatile
- 토크 - 나사 -40°C ~ 85°C (TA)
- 직경 - 내부 1.7V ~ 1.95V
- 기능 - 조명 FLASH - NAND (SLC)
- 메모리 FLASH
- 최대 교류 전압 67-VFBGA (6.5x8)
- 25ns
- Parallel
- 25 ns
- 128M x 8
- Not Verified
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