- 제품 모델 IS42S32160F-6BLI
- 브랜드 ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
- RoHS Yes
- 설명 IC DRAM 512MBIT PAR 90TFBGA
- 분류 메모리
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재고:1816
기술적 세부 사항
- 장착 유형 90-TFBGA
- 턴 수 Surface Mount
- Q @ 주파수 512Mbit
- 쉘 재료 Volatile
- 토크 - 나사 -40°C ~ 85°C (TA)
- 직경 - 내부 3V ~ 3.6V
- 기능 - 조명 SDRAM
- 전압 - VCCB 167 MHz
- 메모리 DRAM
- 최대 교류 전압 90-TFBGA (8x13)
- Parallel
- 5.4 ns
- 16M x 32
- Not Verified