- 제품 모델 IS43DR16320E-25DBL
- 브랜드 ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
- RoHS Yes
- 설명 IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
- 분류 메모리
-
PDF
재고:6158
기술적 세부 사항
- 장착 유형 84-TFBGA
- 턴 수 Surface Mount
- Q @ 주파수 512Mbit
- 쉘 재료 Volatile
- 토크 - 나사 0°C ~ 85°C (TC)
- 직경 - 내부 1.7V ~ 1.9V
- 기능 - 조명 SDRAM - DDR2
- 전압 - VCCB 400 MHz
- 메모리 DRAM
- 최대 교류 전압 84-TWBGA (8x12.5)
- 15ns
- Parallel
- 400 ps
- 32M x 16
- Not Verified
관련 제품
IC FLASH 32MBIT SPI 100MHZ 8SOIC
재고: 3772
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
재고: 4865
512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 400Mhz
재고: 0
IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
재고: 0
IC BUFFER NON-INVERT 2.7V SC70-5
재고: 14691
IC DRAM 512MBIT PAR 84VFBGA
재고: 22899
