- 제품 모델 AS4C32M16MSA-6BINTR
- 브랜드 Alliance Memory, Inc.
- RoHS Yes
- 설명 IC DRAM 512MBIT PARALLEL 54FBGA
- 분류 메모리
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재고:1500
기술적 세부 사항
- 장착 유형 54-VFBGA
- 턴 수 Surface Mount
- Q @ 주파수 512Mbit
- 쉘 재료 Volatile
- 토크 - 나사 -40°C ~ 85°C (TJ)
- 직경 - 내부 1.7V ~ 1.95V
- 기능 - 조명 SDRAM - Mobile SDRAM
- 전압 - VCCB 166 MHz
- 메모리 DRAM
- 최대 교류 전압 54-FBGA (8x8)
- Parallel
- 5.5 ns
- 32M x 16
- Not Verified