기술적 세부 사항

• 장착 유형 36-XFQFN Exposed Pad
• 전류 - 최대 출력 900ps
• 정격 전압 4
• 턴 수 Surface Mount
• 갱 수 Differential
• 유전체 재료 Buffer, ReDriver
• 센싱 거리 LVCMOS
• 토크 - 나사 -40°C ~ 85°C (TA)
• 직경 - 내부 3.135V ~ 3.465V
• Write Cycle Time - Word, Page USB
• 극수 225mA
• 셔터 10Gbps
• 최대 교류 전압 36-X2QFN (3.1x4.3)
• Input Equalization, Output De-Emphasis
• 1.25 pF