- 제품 모델 TC58BYG2S0HBAI4
- 브랜드 Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
- RoHS Yes
- 설명 IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA
- 분류 메모리
-
PDF
재고:1587
기술적 세부 사항
- 장착 유형 63-VFBGA
- 턴 수 Surface Mount
- Q @ 주파수 4Gbit
- 쉘 재료 Non-Volatile
- 토크 - 나사 -40°C ~ 85°C (TA)
- 직경 - 내부 1.7V ~ 1.95V
- 기능 - 조명 FLASH - NAND (SLC)
- 메모리 FLASH
- 최대 교류 전압 63-TFBGA (9x11)
- 25ns
- Parallel
- 25 ns
- 512M x 8
- Not Verified
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