Технические детали

• Напряжение NAND Gate
• Крутящий момент - Винт -40°C ~ 125°C
• Диаметр - Внутренний 2V ~ 6V
• Ток - Входное смещение (Макс) 5.2mA, 5.2mA
• Коэффициент передачи тока (максимальный) 4
• Сила Гаусса 1.5V ~ 4.2V
• Диаметр - Бочка 0.5V ~ 1.8V
• Ширина - Внутренняя 15ns @ 6V, 50pF
• 2
• 2 µA