Технические детали

• Тип монтажа 90-TFBGA
• Количество витков Surface Mount
• Q @ Freq 256Mbit
• Материал оболочки Volatile
• Крутящий момент - Винт -40°C ~ 85°C (TA)
• Диаметр - Внутренний 1.7V ~ 1.95V
• Функция - Освещение SDRAM - Mobile LPDDR
• Напряжение - VCCB 166 MHz
• Память DRAM
• Максимальное переменное напряжение 90-TFBGA (8x13)
• 15ns
• LVCMOS
• 5.5 ns
• 8M x 32