- Модель продукта CY14B116S-BZ35XI
- Бренд IR (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание NVSRAM
- Классификация Память
-
PDF
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа 165-LBGA
- Количество витков Surface Mount
- Q @ Freq 16Mbit
- Материал оболочки Non-Volatile
- Крутящий момент - Винт -40°C ~ 85°C (TA)
- Диаметр - Внутренний 2.7V ~ 3.6V
- Функция - Освещение NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
- Память NVSRAM
- Максимальное переменное напряжение 165-FBGA (15x17)
- 35ns
- Parallel
- 35 ns
- 512K x 32