- نموذج المنتج K4F6E3S4HM-MGCJ
- العلامة التجارية Samsung Semiconductor
- RoHS Yes
- الوصف LPDDR4 16Gb x32 3733 Mbps 1.1v
- تصنيف ذاكرة
التفاصيل الفنية
- نوع التثبيت 200-TFBGA
- عدد اللفات Surface Mount
- Q @ التردد 16Gbit
- مادة الغلاف Volatile
- عزم الدوران - برغي -25°C ~ 85°C
- القطر - الداخلي 1.1V
- الجهد - VCCB 1866 MHz
- ذاكرة DRAM
- Parallel
- 512M x 32
- Not Verified
المنتجات ذات الصلة
IC DRAM 8GBIT PARALLEL 200TFBGA
المخزون: 266
DDR4-2400 4GB (512MX8)0.833NS CL
المخزون: 8000
DDR3-1866 1GB (64MX16)1.07NS CL1
المخزون: 1082
DDR3-1600 4GB (256MX16)1.25NS CL
المخزون: 1953
LPDDR4 8Gb x32 3733 Mbps 1.1v 20
المخزون: 2560
IC DRAM 256MBIT PARALLEL 66TSOP
المخزون: 0
DDR1 256Mb(16MX16)400Mhz 5ns CL3
المخزون: 6000
IC DRAM 8GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
المخزون: 1211
IC DRAM 16GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
المخزون: 2297
IC DRAM 16GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
المخزون: 784
