- Modèle de produit MT53E256M32D1KS-046 WT:L
- Marque Micron Technology
- RoHS Yes
- Description IC DRAM 8GBIT LPDDR4 TFBGA
- Classification Mémoire
-
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Détails techniques
- Type de montage 200-VFBGA
- Nombre de Tours Surface Mount
- Q @ Fréquence 8Gbit
- Matériau de coque Volatile
- Couple de serrage - Vis -30°C ~ 85°C (TC)
- Diamètre intérieur 1.06V ~ 1.17V
- Fonction - Éclairage SDRAM - Mobile LPDDR4
- Tension - VCCB 2.133 GHz
- Mémoire DRAM
- Tension alternative maximale 200-VFBGA (10x14.5)
- Parallel
- 256M x 32
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