• Modèle de produit MT53E256M32D1KS-046 AAT:L
  • Marque Micron Technology
  • RoHS Yes
  • Description IC DRAM 8GBIT LPDDR4 TFBGA
  • Classification Mémoire
  • PDF
Inventaire:1500

Détails techniques

  • Type de montage 200-VFBGA
  • Nombre de Tours Surface Mount
  • Q @ Fréquence 8Gbit
  • Matériau de coque Volatile
  • Couple de serrage - Vis -40°C ~ 105°C (TC)
  • Diamètre intérieur 1.06V ~ 1.17V
  • Fonction - Éclairage SDRAM - Mobile LPDDR4
  • Tension - VCCB 2.133 GHz
  • Mémoire DRAM
  • Tension alternative maximale 200-VFBGA (10x14.5)
  • Diamètre - Épaulement Automotive
  • Parallel
  • 256M x 32
  • AEC-Q100

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