- 제품 모델 K4B4G1646E-BYK000
- 브랜드 Samsung Semiconductor
- RoHS Yes
- 설명 DDR3-1600 4GB (256MX16)1.25NS CL
- 분류 메모리
기술적 세부 사항
- 장착 유형 96-TFBGA
- 턴 수 Surface Mount
- Q @ 주파수 4Gbit
- 쉘 재료 Volatile
- 토크 - 나사 0°C ~ 95°C
- 직경 - 내부 1.35V
- 전압 - VCCB 800 MHz
- 메모리 DRAM
- Parallel
- 256M x 16
- Not Verified
관련 제품
DDR3-1866 1GB (64MX16)1.07NS CL1
재고: 1082
LPDDR4 16Gb x32 3733 Mbps 1.1v
재고: 5120
LPDDR4 8Gb x32 3733 Mbps 1.1v 20
재고: 2560
IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA
재고: 4002
IC DRAM 256MBIT PARALLEL 66TSOP
재고: 0
DDR1 256Mb(16MX16)400Mhz 5ns CL3
재고: 6000
IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
재고: 0
IC FLASH 128MBIT PAR 64EASYBGA
재고: 0
Flash NOR Parallel , 128Mb, 3V,
재고: 1728
FLASH NOR 8MB 3V TSOP (BTM BT-BL
재고: 768
