- 제품 모델 K4B1G1646I-BYMA000
- 브랜드 Samsung Semiconductor
- RoHS Yes
- 설명 DDR3-1866 1GB (64MX16)1.07NS CL1
- 분류 메모리
기술적 세부 사항
- 장착 유형 96-TFBGA
- 턴 수 Surface Mount
- Q @ 주파수 1Gbit
- 쉘 재료 Volatile
- 토크 - 나사 0°C ~ 95°C
- 직경 - 내부 1.35V
- 전압 - VCCB 933 MHz
- 메모리 DRAM
- Parallel
- 64M x 16
- Not Verified
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