기술적 세부 사항
- 장착 유형 221-VFBGA
- 턴 수 Surface Mount
- Q @ 주파수 4GByte (NAND), 4Gbit (LPDDR3 DRAM)
- 쉘 재료 Non-Volatile, Volatile
- 토크 - 나사 -25°C ~ 85°C
- 직경 - 내부 1.8V, 3.3V
- 기능 - 조명 FLASH - NAND, DRAM - LPDDR
- 메모리 FLASH, RAM
- 최대 교류 전압 221-VFBGA (13x11.5)
- eMMC 5.1 HS400 + LPDDR3
- Not Verified
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