- 제품 모델 MT53E128M32D2DS-053 AAT:A
- 브랜드 Micron Technology
- RoHS Yes
- 설명 IC DRAM 4GBIT 1.866GHZ 200WFBGA
- 분류 메모리
-
PDF
기술적 세부 사항
- 장착 유형 200-WFBGA
- 턴 수 Surface Mount
- Q @ 주파수 4Gbit
- 쉘 재료 Volatile
- 토크 - 나사 -40°C ~ 105°C (TC)
- 직경 - 내부 1.1V
- 기능 - 조명 SDRAM - Mobile LPDDR4
- 전압 - VCCB 1.866 GHz
- 메모리 DRAM
- 최대 교류 전압 200-WFBGA (10x14.5)
- 직경 - 숄더 Automotive
- 128M x 32
- Not Verified
- AEC-Q100
관련 제품
IC FLASH 128MBIT SPI 133MHZ 8SO
재고: 1730
IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
재고: 3599
IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
재고: 1390
IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA
재고: 1275
IC DRAM 4GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
재고: 1166
IC DRAM 4GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
재고: 830
IC DRAM 4GBIT 1.866GHZ 200WFBGA
재고: 0
IC DRAM 4GBIT 1.866GHZ 200WFBGA
재고: 0
IC DRAM 4GBIT 1.866GHZ 200WFBGA
재고: 1610
IC DRAM 4GBIT 2.133GHZ WFBGA
재고: 1883
